ddr3和ddr4的区别（ddr2和ddr3的区别）

大家好，小杨来为大家解答以上问题，ddr3和ddr4的区别，ddr2和ddr3的区别很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

1、DDR2和DDR3的插槽是不同的。DDR3比DDR2的频率更高、速度更快、容量更大、性能更高。

2、相比DDR2内存，DDR3内存其实只是规格上的提升，并没有真正意义上的新架构进行全面替代。DDR3的触针数量是DDR2的240针。但是，防呆槽口的位置不同。DDR3在大容量内存方面有更好的支持，

3、大容量内存的分水岭是4GB，这是32位操作系统的上限(不考虑PAE等内存映射模式，这些32位扩展模式只是过渡模式，会降低性能。

4、不会成为零售市场的主流技术)当市场需求超过4GB时，64位CPU和操作系统是唯一的解决方案，这是DDR3内存的普及期。

5、一、DDR2和DDR3内存的特点差异：

6、逻辑库数量

7、DDR2 SDRAM有4库8库，目的是为了满足未来大容量芯片的需求。DDR3很可能从2Gb容量开始，因此初始逻辑存储区是8个。

8、此外，它还为未来的16逻辑银行做好了准备。

9、Package (package)

10、由于DDR3中的一些新功能，引脚将会增加。8位芯片采用78引脚FBGA封装，16位芯片采用96引脚FBGA封装，DDR2采用60/68/84引脚FBGA封装。

11、而且DDR3必须是绿色包装，不能含有任何有害物质。

12、Burst length (BL, burst length)

13、由于DDR3的预取为8位，所以突发长度(BL)也固定为8，BL=4也常用于DDR2和早期的DDR架构系统。

14、DDR3增加了4位突发斩波模式，即使用BL=4的读操作和BL=4的写操作来合成BL=8的数据突发传输。此时，这种突发模式可以由A12地址线控制。

15、寻址时序

16、就像DDR2从DDR转型后延迟期数量增加一样，DDR3的CL期也会比DDR2高。DDR2的CL范围一般在2到5之间，而DDR3在5到11之间，附加延迟(al)的设计也发生了变化。

17、在DDR2，AL的范围是0到4，而在DDR3中，AL有三个选项，即CL-1和CL-2。此外，DDR3还增加了新的计时参数mdash-写入延迟(CWD)，这将取决于具体的工作频率。

18、二、DDR3相比DDR2(桌面无缓冲DIMM)的优势：

19、1.速度更快：预取缓冲区的宽度从4bit增加到8bit，在内核相同频率下的数据传输能力将是DDR2的两倍。

20、2.更省电：DDR3模块电压由DDR2的1.8V降至1.5V，比同频率的DDR2更省电。通过SRT(自刷新温度)功能，温度传感器在内部增加。

21、刷新率(RASR，部分阵列自刷新功能)可以根据温度动态控制，达到省电的目的。

22、3.更大的容量：更多的银行。按照JEDEC标准，DDR2应该可以生产4Gb的单位容量(即单个模块可以达到8GB)，但目前很多DRAM厂商计划在DDR2生产中跳过这个4Gb的单位容量。

23、也就是说，单个DDR2 DRAM模块的最大容量可能只能达到4GB。DDR3模块的容量将从1GB，

24、目前单个模块规划到16GB没问题(注：这里指的是零售组装市场专用的无缓冲DIMM，FB和注册为server不限)。

本文到此结束，希望对大家有所帮助。